SIR664DP-T1-GE3 与 CSD18563Q5A 区别
| 型号 | SIR664DP-T1-GE3 | CSD18563Q5A | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SIR664DP-T1-GE3 | A36-CSD18563Q5A | ||||||
| 制造商 | Vishay | TI | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 未分类 | ||||||
| 描述 | 表面贴装型 N 通道 60 V 100A（Ta） 3.2W（Ta），116W（Tc） 8-VSONP（5x6） | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 6mΩ | - | ||||||
| 上升时间 | 12ns | - | ||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | - | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 50W | - | ||||||
| Qg-栅极电荷 | 26nC | - | ||||||
| 栅极电压Vgs | 1.3V | - | ||||||
| 典型关闭延迟时间 | 24ns | - | ||||||
| 正向跨导 - 最小值 | 70S | - | ||||||
| 封装/外壳 | PowerPAK-SO-8 | DFN-8(5.1x5.7) | ||||||
| 连续漏极电流Id | 60A | - | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||
| 系列 | SIR | - | ||||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||||
| 配置 | Single | - | ||||||
| 下降时间 | 7ns | - | ||||||
| 典型接通延迟时间 | 10ns | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 2,143 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIR664DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
60A 50W 6mΩ 60V 1.3V PowerPAK-SO-8 -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
|
CSD18563Q5A | TI | 数据手册 | 未分类 |
￥4.4
|
2,143 | 对比 | |||||||||
|
NTMFS5C670NLT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) |
暂无价格 | 6 | 对比 | ||||||||
|
NTMFS5C670NLT1GOSCT | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
|
NTMFS5C670NLT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
|
|
NTMFS5C670NLT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
