SIR662DP-T1-GE3 与 NTMFS5C628NLT1G 区别
| 型号 | SIR662DP-T1-GE3 | NTMFS5C628NLT1G | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SIR662DP-T1-GE3 | A36-NTMFS5C628NLT1G | ||||
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET | MOSFET N-CH 60V 5DFN | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 宽度 | 5.15 mm | - | ||||
| 零件号别名 | SIR662DP-GE3 | - | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2.7mΩ | 2.4mΩ@50A,10V | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 6.25W(Ta),104W(Tc) | 110W | ||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | SOIC-8 | SO-8FL | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~175°C | ||||
| 连续漏极电流Id | 60A | 150A | ||||
| 系列 | SIR | - | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - | ||||
| 长度 | 6.15 mm | - | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 4365pF @ 30V | - | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 96nC @ 10V | - | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||
| 高度 | 1.04 mm | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 55 | 232 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SIR662DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 6.25W(Ta),104W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60A 2.7mΩ |
暂无价格 | 55 | 当前型号 | ||||||||||
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BSC016N06NS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 100A 1.6mΩ 10V 139W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 5,000 | 对比 | ||||||||||
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NTMFS5C628NLT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
2.4mΩ@50A,10V ±20V SO-8FL -55°C~175°C 150A 60V 110W N-Channel |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||
|
CSD18533Q5A | TI | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-VSONP(5x6) |
￥3.619
|
2,966 | 对比 | ||||||||||
|
CSD18540Q5B | TI | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-PowerTDFN |
￥6.996
|
473 | 对比 | ||||||||||
|
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NTMFS5C628NLT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
2.4mΩ@50A,10V ±20V SO-8FL -55°C~175°C 150A 60V 110W N-Channel |
￥2.761
|
232 | 对比 |
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