SIR626DP-T1-RE3 与 BSC016N06NS 区别
| 型号 | SIR626DP-T1-RE3 | BSC016N06NS | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SIR626DP-T1-RE3 | A-BSC016N06NS | ||
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 100A POWERPAKSO | 系列:OptiMOS™ | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 宽度 | - | 5.15mm | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.7mΩ@20A,10V | 1.6mΩ | ||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 104W(Tc) | 139W | ||
| Qg-栅极电荷 | - | 71nC | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 10V | ||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 70S | ||
| 典型关闭延迟时间 | - | 35ns | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | PowerPAK®SO-8 | - | ||
| 连续漏极电流Id | 100A(Tc) | 100A | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||
| 系列 | TrenchFET® Gen IV | OptiMOS™ | ||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||
| 配置 | - | Single | ||
| 长度 | - | 5.9mm | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 6V,10V | - | ||
| 下降时间 | - | 9ns | ||
| 典型接通延迟时间 | - | 19ns | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3.4V @ 250µA | - | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5130pF @ 30V | - | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 78nC @ 7.5V | - | ||
| 高度 | - | 1.27mm | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 73 | 5,000 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 5天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SIR626DP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 60V 100A(Tc) ±20V 104W(Tc) 1.7mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) PowerPAK®SO-8 |
￥4.4044
|
73 | 当前型号 | ||||
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BSC016N06NS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 100A 1.6mΩ 10V 139W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 5,000 | 对比 | ||||
|
BSC014N06NS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 100A 1.45mΩ 10V 156W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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