SIR5710DP-T1-RE3 与 RS6R060BHTB1 区别
| 型号 | SIR5710DP-T1-RE3 | RS6R060BHTB1 | ||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A-SIR5710DP-T1-RE3 | A33-RS6R060BHTB1-1 | ||||||||||||||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||||
| 描述 | Nch 150V 60A, HSOP8, Power MOSFET | |||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 | HSOP8 (Single) | ||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 60A | ||||||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 21.8mΩ@60A,10V | ||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 150V | ||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 104W | ||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 40 | 1,025 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
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SIR5710DP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
PowerPAK® SO-8 |
暂无价格 | 40 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
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RS6R060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 60A 150V HSOP8 (Single) 104W ±20V 21.8mΩ@60A,10V -55°C~150°C |
￥27.3099
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1,025 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RS6R060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 60A 150V HSOP8 (Single) 104W ±20V 21.8mΩ@60A,10V -55°C~150°C |
￥18.9871
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95 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RS6R060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 60A 150V HSOP8 (Single) 104W ±20V 21.8mΩ@60A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 90 | 对比 |
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