SIR426DP-T1-GE3 与 RS6G120BGTB1 区别
| 型号 | SIR426DP-T1-GE3 | RS6G120BGTB1 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SIR426DP-T1-GE3 | A3-RS6G120BGTB1 |
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET | NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 5.15 mm | - |
| 零件号别名 | SIR426DP-GE3 | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 10.5mΩ@15A,10V | 1.34mΩ@90A,10V |
| 漏源极电压Vds | 40V | 40V |
| Pd-功率耗散(Max) | 4.8W(Ta),41.7W(Tc) | 104W |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT1205 | HSOP8 (Single) |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 30A | 120A |
| 系列 | SIR | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - |
| 长度 | 6.15 mm | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1160pF @ 20V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 31nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 高度 | 1.04 mm | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 52 | 100 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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SIR426DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 4.8W(Ta),41.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) N-Channel 40V 30A 10.5mΩ@15A,10V SOT1205 |
暂无价格 | 52 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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RS6G100BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 100A |
￥8.4134
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2,494 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6G120BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 104W 1.34mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 120A |
￥15.514
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1,474 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6G100BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 100A |
暂无价格 | 160 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6G120BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 104W 1.34mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 120A |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6G100BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 100A |
￥10.1972
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100 | 对比 |
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