SIR416DP-T1-GE3 与 RS6G120BGTB1 区别
| 型号 | SIR416DP-T1-GE3 | RS6G120BGTB1 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SIR416DP-T1-GE3 | A33-RS6G120BGTB1-0 | ||||||||||||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | N-Channel 40 V 3.8 mO 90 nC SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SO-8 | NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE | ||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | PowerPAK SO-8 | HSOP8 (Single) | ||||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 120A | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 1.34mΩ@90A,10V | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 40V | ||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 104W | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 40 | 1,599 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIR416DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
PowerPAK SO-8 N-Channel |
暂无价格 | 40 | 当前型号 | ||||||||||||||||
|
RS6G120BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 104W 1.34mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 120A |
￥25.5084
|
1,599 | 对比 | ||||||||||||||||
|
RS6G100BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 100A |
暂无价格 | 160 | 对比 | ||||||||||||||||
|
|
RS6G120BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 104W 1.34mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 120A |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||||||
|
|
RS6G100BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 100A |
￥10.1972
|
100 | 对比 | ||||||||||||||||
|
|
RS6G100BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 100A |
暂无价格 | 4 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
