首页 > 商品目录 > > > > SIR186LDP-T1-RE3代替型号比较

SIR186LDP-T1-RE3  与  RS6L120BGTB1  区别

型号 SIR186LDP-T1-RE3 RS6L120BGTB1
唯样编号 A-SIR186LDP-T1-RE3 A3-RS6L120BGTB1
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 60V 150A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PowerPAK® SO-8 Single HSOP8 (Single)
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C
连续漏极电流Id 80.3A 120A
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.4mΩ@15A,10V 2.7mΩ@90A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 57W 104W
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 10 100
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIR186LDP-T1-RE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

PowerPAK®SO-8Single

暂无价格 10 当前型号
RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥69.4629 

阶梯数 价格
3: ¥69.4629
10: ¥15.7344
50: ¥10.9048
100: ¥10.3107
500: ¥9.9083
1,000: ¥9.822
1,830 对比
RS6L090BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥11.4702 

阶梯数 价格
20: ¥11.4702
50: ¥7.0814
100: ¥6.5352
500: ¥6.1711
1,000: ¥6.0945
1,820 对比
RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

暂无价格 100 对比
RS6L090BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

暂无价格 100 对比
RS6L090BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥12.884 

阶梯数 价格
1: ¥12.884
100: ¥6.442
99 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售