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SIR186LDP-T1-RE3  与  RS6L090BGTB1  区别

型号 SIR186LDP-T1-RE3 RS6L090BGTB1
唯样编号 A-SIR186LDP-T1-RE3 A3-RS6L090BGTB1
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 60V 90A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PowerPAK® SO-8 Single HSOP8 (Single)
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
连续漏极电流Id 80.3A 90A
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.4mΩ@15A,10V 4.7mΩ@90A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 57W 73W
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 10 100
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIR186LDP-T1-RE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

PowerPAK® SO-8 Single N-Channel 57W 4.4mΩ@15A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 80.3A

暂无价格 10 当前型号
RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 104W 2.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 120A

¥25.6617 

阶梯数 价格
6: ¥25.6617
10: ¥16.7788
50: ¥11.6331
100: ¥10.9911
300: ¥10.5599
500: ¥10.4736
1,000: ¥10.4161
1,050 对比
RS6L090BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 4.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 90A

¥13.4537 

阶梯数 价格
20: ¥13.4537
50: ¥8.308
100: ¥7.666
300: ¥7.2348
500: ¥7.1485
594 对比
RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 104W 2.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 120A

暂无价格 100 对比
RS6L090BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 4.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 90A

暂无价格 100 对比
RS6L090BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 4.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 90A

¥12.884 

阶梯数 价格
1: ¥12.884
100: ¥6.442
99 对比

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