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SIR184DP-T1-RE3  与  RS6L090BGTB1  区别

型号 SIR184DP-T1-RE3 RS6L090BGTB1
唯样编号 A-SIR184DP-T1-RE3 A-RS6L090BGTB1
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 60V 90A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.8mΩ@10A,10V 4.7mΩ@90A,10V
上升时间 6ns -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 62.5W 73W
Qg-栅极电荷 21nC -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
典型关闭延迟时间 20ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 PowerPAK® SO-8 HSOP8 (Single)
连续漏极电流Id 73A 90A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
通道数量 1Channel -
配置 Single -
电压 60V -
下降时间 6ns -
典型接通延迟时间 11ns -
库存与单价
库存 0 99
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥12.884
100+ :  ¥6.442
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIR184DP-T1-RE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

60V 73A 5.8mΩ@10A,10V ±20V N-Channel 62.5W -55°C~150°C PowerPAK® SO-8

暂无价格 0 当前型号
RS6L090BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 4.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 90A

¥11.8535 

阶梯数 价格
20: ¥11.8535
50: ¥7.321
100: ¥6.7556
300: ¥6.3723
500: ¥6.2957
1,000: ¥6.2382
1,695 对比
RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 104W 2.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 120A

¥14.7953 

阶梯数 价格
20: ¥14.7953
50: ¥10.2532
100: ¥9.6879
300: ¥9.3141
500: ¥9.2375
1,000: ¥9.18
1,250 对比
RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 104W 2.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 120A

暂无价格 100 对比
RS6L090BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 4.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 90A

暂无价格 100 对比
RS6L090BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 4.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 90A

¥12.884 

阶梯数 价格
1: ¥12.884
100: ¥6.442
99 对比

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