SIR170DP-T1-RE3 与 RS6P100BHTB1 区别
| 型号 | SIR170DP-T1-RE3 | RS6P100BHTB1 | ||||
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| 唯样编号 | A-SIR170DP-T1-RE3 | A-RS6P100BHTB1 | ||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | Nch 100V 100A, HSOP8, Power MOSFET | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 | HSOP8 (Single) | ||||
| 连续漏极电流Id | 23.2A (Ta),95A (Tc) | 100A | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.8 mOhms @ 20A,10V | 5.9mΩ@90A,10V | ||||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 6.25W(Ta),104W(Tc) | 104W | ||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||
| Vgs(th) | 2.5V @ 250uA | - | ||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 55 | 97 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 5天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
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SIR170DP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
23.2A (Ta),95A (Tc) N-Channel 4.8 mOhms @ 20A,10V 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 100V |
暂无价格 | 55 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
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RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
￥26.4283
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1,960 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
￥19.6519
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97 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
暂无价格 | 50 | 对比 |
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