SIJA72ADP-T1-GE3 与 RS6G100BGTB1 区别
| 型号 | SIJA72ADP-T1-GE3 | RS6G100BGTB1 | ||||
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| 唯样编号 | A-SIJA72ADP-T1-GE3 | A-RS6G100BGTB1 | ||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | Nch 40V 100A, HSOP8, Power MOSFET | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 | HSOP8 (Single) | ||||
| 连续漏极电流Id | 27.9A(Ta),96A(Tc) | 100A | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.42 mOhms @ 10A,10V | 3.4mΩ@90A,10V | ||||
| 漏源极电压Vds | 40V | 40V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 4.8W(Ta),56.8W(Tc) | 59W | ||||
| Vgs(最大值) | +20V,-16V | - | ||||
| Vgs(th) | 2.4V @ 250uA | - | ||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 40 | 100 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 5天 | ||||
| 单价(含税) | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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SIJA72ADP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
27.9A(Ta),96A(Tc) N-Channel 3.42 mOhms @ 10A,10V 4.8W(Ta),56.8W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 40V |
暂无价格 | 40 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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RS6G120BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 104W 1.34mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 120A |
¥25.5084
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1,599 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6G100BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 100A |
暂无价格 | 160 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6G120BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 104W 1.34mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 120A |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6G100BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 100A |
¥10.1972
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100 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6G100BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 100A |
暂无价格 | 4 | 对比 |