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SIHP5N50D-GE3  与  IRF830B  区别

型号 SIHP5N50D-GE3 IRF830B
唯样编号 A-SIHP5N50D-GE3 A3t-IRF830B
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 未分类
描述 N Channel 500 V 1.5 O 104 W Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-220-3 -
连续漏极电流Id 5.3A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C -
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.5 Ohms @ 2.5A,10V -
漏源极电压Vds 500V -
Pd-功率耗散(Max) 104W(Tc) -
Vgs(最大值) ±30V -
Vgs(th) 5V @ 250uA -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 50 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIHP5N50D-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

5.3A(Tc) N-Channel 1.5 Ohms @ 2.5A,10V 104W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 500V

暂无价格 50 当前型号
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