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SIHP18N50C-E3  与  IPP50R280CEXKSA1  区别

型号 SIHP18N50C-E3 IPP50R280CEXKSA1
唯样编号 A-SIHP18N50C-E3 A-IPP50R280CEXKSA1
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 E Series N-Channel 500 V 0.27 O 76 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 92W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 225mΩ -
上升时间 27ns -
Qg-栅极电荷 65nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 773pF @ 100V
栅极电压Vgs 5V -
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 18A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 32.6nC @ 10V
配置 Single -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 280 毫欧 @ 4.2A,13V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 13V
下降时间 44ns -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 500V -
Pd-功率耗散(Max) 223W -
典型关闭延迟时间 32ns -
FET类型 - N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 350uA
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2942pF @ 25V -
FET功能 - 超级结
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 76nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 13A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 500V
典型接通延迟时间 80ns -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIHP18N50C-E3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) TO-220-3 18A 223W 225mΩ 500V 5V

暂无价格 0 当前型号
STP18N55M5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
STP18N55M5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
IPP50R280CE Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP50R280CEXKSA1_500V 13A 280mΩ 13V 92W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
AOT22N50L AOS  数据手册 功率MOSFET

22A(Tc) N-Channel ±30V 260 mΩ @ 11A,10V TO-220 417W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 500V

暂无价格 0 对比
IPP50R280CEXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP50R280CE_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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