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SIHP17N80E-GE3  与  IPP60R280CFD7  区别

型号 SIHP17N80E-GE3 IPP60R280CFD7
唯样编号 A-SIHP17N80E-GE3 A-IPP60R280CFD7
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 290mΩ@8.5A,10V 280mΩ
Ciss - 807.0pF
Coss - 14.0 pF
栅极电压Vgs ±30V 3.5V,4.5V
RthJA max - 62.0K/W
Special Features - fast recovery diode
封装/外壳 TO-220-3 TO-220
连续漏极电流Id 15A(Tc) 9A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
QG (typ @10V) - 18.0 nC
Ptot max - 52.0W
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2408pF @ 100V -
Budgetary Price €€/1k - 0.78
漏源极电压Vds 800V 600V
Moisture Level - NA
Pd-功率耗散(Max) 208W -
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 5.0nC
Pin Count - 3.0Pins
Mounting - THT
RthJC max - 2.39 K/W
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 122nC @ 10V -
库存与单价
库存 11 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIHP17N80E-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 800V 15A(Tc) ±30V 208W 290mΩ@8.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3

暂无价格 11 当前型号
IPP60R280CFD7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

280mΩ 600V 9A TO-220 -55°C~150°C N-Channel 3.5V,4.5V

暂无价格 0 对比

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