SIHP12N50C-E3 与 STP14NM50N 区别
| 型号 | SIHP12N50C-E3 | STP14NM50N | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SIHP12N50C-E3 | A36-STP14NM50N | ||||
| 制造商 | Vishay | STMicroelectronics | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||
| 描述 | N-Channel 500 V 0.555 O 48 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB | MOSFET N-CH 500V 12A TO220 | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 宽度 | 4.7mm | - | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 555mΩ | - | ||||
| 上升时间 | 35ns | - | ||||
| 漏源极电压Vds | 500V | - | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 208W | - | ||||
| Qg-栅极电荷 | 32nC | - | ||||
| 栅极电压Vgs | 5V | - | ||||
| 典型关闭延迟时间 | 23ns | - | ||||
| 封装/外壳 | TO-220AB-3 | TO-220-3 | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||
| 连续漏极电流Id | 12A | - | ||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||
| 配置 | Single | - | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | - | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1375pF @ 25V | - | ||||
| 长度 | 10.41mm | - | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 48nC @ 10V | - | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||||
| 下降时间 | 6ns | - | ||||
| 典型接通延迟时间 | 18ns | - | ||||
| 高度 | 15.49mm | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 15 | 1,000 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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SIHP12N50C-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 12A 208W 555mΩ 500V 5V TO-220AB-3 |
暂无价格 | 15 | 当前型号 | ||||||
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STP11NK50Z | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 13,100 | 对比 | ||||||
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STP14NM50N | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||
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|
STP14NM50N | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
￥5.533
|
1,000 | 对比 | ||||||
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STP11NK50Z | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 2 | 对比 | ||||||
|
STP14NM50N(KEC) | STMicro | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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