SIHG73N60E-GE3 与 STW70N60DM2 区别
| 型号 | SIHG73N60E-GE3 | STW70N60DM2 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SIHG73N60E-GE3 | A36-STW70N60DM2-1 | ||
| 制造商 | Vishay | STMicroelectronics | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散Pd | 520W(Tc) | 446W(Tc) | ||
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V | ||
| 栅极电压Vgs | ±30V | ±25V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | TO-247-3 | TO-247-3 | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | 73A | 66A(Tc) | ||
| 系列 | SI | - | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 7700pF @ 100V | - | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 362nC @ 10V | - | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 10V | ||
| 导通电阻Rds(On) | 39mΩ | 42mΩ@33A,10V | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 5508pF @ 100V | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 121nC @ 10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 34 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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SIHG73N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 520W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 N-Channel 600V 73A 39mΩ |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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STW70N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 1,350 | 对比 | ||||||||
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STW70N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
￥23.508
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600 | 对比 | ||||||||
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STW70N60DM2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 66A(Tc) ±25V 446W(Tc) 42mΩ@33A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 |
暂无价格 | 540 | 对比 | ||||||||
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STW70N60DM2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 66A(Tc) ±25V 446W(Tc) 42mΩ@33A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 |
￥28.536
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123 | 对比 | ||||||||
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STW70N60DM2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 66A(Tc) ±25V 446W(Tc) 42mΩ@33A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 |
￥24.108
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34 | 对比 |
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