SIHG64N65E-GE3 与 R6076ENZ1C9 区别
| 型号 | SIHG64N65E-GE3 | R6076ENZ1C9 | ||||
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| 唯样编号 | A-SIHG64N65E-GE3 | A33-R6076ENZ1C9 | ||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | ||||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 47mΩ | 42mΩ@44.4A,10V | ||||
| 上升时间 | 122ns | - | ||||
| 漏源极电压Vds | 650V | 600V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 520W | 120W(Tc) | ||||
| Qg-栅极电荷 | 239nC | - | ||||
| 栅极电压Vgs | 4V | ±20V | ||||
| 典型关闭延迟时间 | 213ns | - | ||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | TO-247AC-3 | TO-247 | ||||
| 连续漏极电流Id | 64A | 76A | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | 150°C(TJ) | ||||
| 系列 | E | - | ||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||
| 配置 | Single | - | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 1mA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 6500pF @ 25V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 260nC @ 10V | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||
| 下降时间 | 103ns | - | ||||
| 典型接通延迟时间 | 66ns | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 45 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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SIHG64N65E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
64A 520W 47mΩ 650V 4V TO-247AC-3 -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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R6076ENZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 120W(Tc) 42mΩ@44.4A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 76A |
￥179.0578
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450 | 对比 | ||||||||
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R6076ENZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 120W(Tc) 42mΩ@44.4A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 76A |
暂无价格 | 90 | 对比 | ||||||||
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R6076ENZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 120W(Tc) 42mΩ@44.4A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 76A |
￥54.2364
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45 | 对比 | ||||||||
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STW77N65M5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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STW77N65M5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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