SIHG64N65E-GE3 与 STW77N65M5 区别
| 型号 | SIHG64N65E-GE3 | STW77N65M5 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SIHG64N65E-GE3 | A-STW77N65M5 |
| 制造商 | Vishay | STMicroelectronics |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 69A TO247-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 47mΩ | - |
| 上升时间 | 122ns | - |
| 漏源极电压Vds | 650V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 520W | - |
| Qg-栅极电荷 | 239nC | - |
| 栅极电压Vgs | 4V | - |
| 典型关闭延迟时间 | 213ns | - |
| 封装/外壳 | TO-247AC-3 | TO-247-3 |
| 连续漏极电流Id | 64A | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C | - |
| 系列 | E | - |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 配置 | Single | - |
| 下降时间 | 103ns | - |
| 典型接通延迟时间 | 66ns | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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SIHG64N65E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
64A 520W 47mΩ 650V 4V TO-247AC-3 -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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R6076ENZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 120W(Tc) 42mΩ@44.4A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 76A |
￥179.0578
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450 | 对比 | ||||||||
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R6076ENZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 120W(Tc) 42mΩ@44.4A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 76A |
暂无价格 | 90 | 对比 | ||||||||
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R6076ENZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 120W(Tc) 42mΩ@44.4A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 76A |
￥54.2364
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45 | 对比 | ||||||||
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STW77N65M5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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STW77N65M5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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