首页 > 商品目录 > > > > SIHG64N65E-GE3代替型号比较

SIHG64N65E-GE3  与  R6076ENZ1C9  区别

型号 SIHG64N65E-GE3 R6076ENZ1C9
唯样编号 A-SIHG64N65E-GE3 A-R6076ENZ1C9
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 47mΩ 42mΩ@44.4A,10V
上升时间 122ns -
漏源极电压Vds 650V 600V
Pd-功率耗散(Max) 520W 120W(Tc)
Qg-栅极电荷 239nC -
栅极电压Vgs 4V ±20V
典型关闭延迟时间 213ns -
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-247AC-3 TO-247
连续漏极电流Id 64A 76A
工作温度 -55°C~150°C 150°C(TJ)
系列 E -
通道数量 1Channel -
配置 Single -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6500pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 260nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 103ns -
典型接通延迟时间 66ns -
库存与单价
库存 0 450
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥179.0578
100+ :  ¥103.4954
450+ :  ¥65.6161
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIHG64N65E-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

64A 520W 47mΩ 650V 4V TO-247AC-3 -55°C~150°C

暂无价格 0 当前型号
R6076ENZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 120W(Tc) 42mΩ@44.4A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 76A

¥179.0578 

阶梯数 价格
1: ¥179.0578
100: ¥103.4954
450: ¥65.6161
450 对比
R6076ENZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 120W(Tc) 42mΩ@44.4A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 76A

暂无价格 90 对比
R6076ENZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 120W(Tc) 42mΩ@44.4A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 76A

¥54.2364 

阶梯数 价格
3: ¥54.2364
10: ¥52.7512
45 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售