SIHG61N65EF-GE3 与 IPW60R045CP 区别
| 型号 | SIHG61N65EF-GE3 | IPW60R045CP |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SIHG61N65EF-GE3 | A-IPW60R045CP |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 5.21mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 47mΩ@30.5A,10V | 40mΩ |
| 上升时间 | - | 20ns |
| 漏源极电压Vds | 650V | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | 520W(Tc) | 431W |
| Qg-栅极电荷 | - | 190nC |
| 栅极电压Vgs | ±30V | 20V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 100ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-247-3 | - |
| 连续漏极电流Id | 64A(Tc) | 60A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | E | CoolMOSCE |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 16.13mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 10V |
| 下降时间 | - | 10ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 30ns |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | 3.5V @ 3mA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 7407pF @ 100V | 6800pF @ 100V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 371nC @ 10V | 190nC @ 10V |
| 高度 | - | 21.1mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 20 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SIHG61N65EF-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 650V 64A(Tc) ±30V 520W(Tc) 47mΩ@30.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 |
暂无价格 | 20 | 当前型号 |
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STW77N65M5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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STW77N65M5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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STW77N65M5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IPW60R045CP | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 600V 60A 40mΩ 20V 431W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IPW65R041CFD | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 500W(Tc) 41mΩ@33.1A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247 N-Channel 700V 68.5A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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