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SIHG33N65E-GE3  与  R6035KNZ1C9  区别

型号 SIHG33N65E-GE3 R6035KNZ1C9
唯样编号 A-SIHG33N65E-GE3 A33-R6035KNZ1C9
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 90mΩ 102mΩ@18.1A,10V
漏源极电压Vds 4V 600V
Pd-功率耗散(Max) - 379W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-247-3 TO-247-3
连续漏极电流Id 32.4A 35A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3000pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 72nC @ 10V
库存与单价
库存 0 300
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
5+ :  ¥33.1456
10+ :  ¥32.2448
50+ :  ¥31.6411
100+ :  ¥31.0374
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIHG33N65E-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3 N-Channel 32.4A 90mΩ 4V

暂无价格 0 当前型号
R6035KNZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 35A(Tc) ±20V 379W(Tc) 102mΩ@18.1A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3

暂无价格 480 对比
SCT3080ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

null

¥105.3873 

阶梯数 价格
2: ¥105.3873
5: ¥60.0146
10: ¥54.3418
30: ¥50.5664
50: ¥49.8094
60: ¥49.6177
100: ¥49.2344
200: ¥48.9565
450 对比
R6035KNZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 35A(Tc) ±20V 379W(Tc) 102mΩ@18.1A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3

¥33.1456 

阶梯数 价格
5: ¥33.1456
10: ¥32.2448
50: ¥31.6411
100: ¥31.0374
300 对比
SCT3080ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

null

¥105.3873 

阶梯数 价格
2: ¥105.3873
5: ¥60.0146
10: ¥54.3418
30: ¥50.5664
50: ¥49.8094
60: ¥49.6177
100: ¥49.2344
200: ¥48.9565
216 对比
R6030ENZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 30A(Tc) ±20V 120W(Tc) 130mΩ@14.5A,10V 150°C(TJ) TO-247-3

¥68.5567 

阶梯数 价格
1: ¥68.5567
100: ¥39.6258
450: ¥25.1227
30 对比

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