SIHG33N60E-GE3 与 IPW60R099C6 区别
| 型号 | SIHG33N60E-GE3 | IPW60R099C6 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SIHG33N60E-GE3 | A-IPW60R099C6 |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 5.31mm | 5.21mm |
| 上升时间 | 43ns | 12ns |
| Qg-栅极电荷 | 103nC | 119nC |
| 栅极电压Vgs | 4V | 20V |
| 封装/外壳 | TO-247-3 | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 33A | 37.9A |
| 配置 | Single | Single |
| 长度 | 15.87mm | 16.13mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 10V |
| 下降时间 | 48ns | 6ns |
| 导通电阻Rds(On) | 98mΩ | 90mΩ |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2660pF @ 100V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3.5V @ 1.21mA |
| 高度 | 20.82mm | 21.1mm |
| 功率耗散Pd | 278W | 278W |
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V |
| 典型关闭延迟时间 | 161ns | 75ns |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 系列 | E | CoolMOSC6 |
| 通道数量 | 1Channel | 1Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3508pF @ 100V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 150nC @ 10V | - |
| 典型接通延迟时间 | 28ns | 15ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 119nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIHG33N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TO-247-3 33A 278W 98mΩ 600V 4V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
|
STW40N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 1,770 | 对比 | ||||||
|
STW45NM60 | STMicro | 数据手册 | MOSFET |
TO-247 |
￥42.468
|
159 | 对比 | ||||||
|
FCH35N60 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IPW60R099C6 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 600V 37.9A 90mΩ 20V 278W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
|
STW34NM60ND,TO247 | STMicro | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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