SIHG22N60E-GE3 与 STW24N60M2 区别
| 型号 | SIHG22N60E-GE3 | STW24N60M2 | ||||||
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| 唯样编号 | A-SIHG22N60E-GE3 | A36-STW24N60M2 | ||||||
| 制造商 | Vishay | STMicroelectronics | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET | MOSFET N-CH 600V 18A TO247 | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散Pd | 227W(Tc) | - | ||||||
| 漏源极电压Vds | 4V | - | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±30V | - | ||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||
| 封装/外壳 | TO-247-3 | TO-247-3 | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||||
| 连续漏极电流Id | 21A | - | ||||||
| 系列 | SI | - | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1920pF @ 100V | - | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 86nC @ 10V | - | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||||||
| 导通电阻Rds(On) | 180mΩ | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 1,203 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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SIHG22N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 227W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 N-Channel 21A 180mΩ 4V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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STW24N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
￥7.116
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1,203 | 对比 | ||||||||
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R6030JNZ4C13 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) N 通道 TO-247G |
￥55.4673
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600 | 对比 | ||||||||
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SCT3120ALHRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
175°C(TJ) N 通道 TO-247N 车规 |
￥149.7616
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420 | 对比 | ||||||||
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R6030JNZ4C13 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) N 通道 TO-247G |
暂无价格 | 70 | 对比 | ||||||||
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STW24N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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