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SIHG22N60E-GE3  与  SCT3120ALHRC11  区别

型号 SIHG22N60E-GE3 SCT3120ALHRC11
唯样编号 A-SIHG22N60E-GE3 A32-SCT3120ALHRC11-2
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET SiC MOSFET
描述 MOSFET SICFET N-CH 650V 21A TO247N
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 103W
产品特性 - 车规
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 460pF @ 500V
栅极电压Vgs ±30V -
封装/外壳 TO-247-3 TO-247N
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 21A -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 156 毫欧 @ 6.7A,18V
Vgs(最大值) - +22V,-4V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 18V
导通电阻Rds(On) 180mΩ -
功率耗散Pd 227W(Tc) -
技术 - SiCFET(碳化硅)
漏源极电压Vds 4V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 5.6V @ 3.33mA
系列 SI -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1920pF @ 100V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 86nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 21A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 650V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 38nC @ 18V
库存与单价
库存 0 420
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥149.7616
100+ :  ¥109.8113
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIHG22N60E-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±30V 227W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 N-Channel 21A 180mΩ 4V

暂无价格 0 当前型号
STW24N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

¥7.116 

阶梯数 价格
8: ¥7.116
10: ¥5.484
600: ¥5.244
1,203 对比
R6030JNZ4C13 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) N 通道 TO-247G

¥55.4673 

阶梯数 价格
100: ¥55.4673
500: ¥51.1846
600: ¥42.6887
600 对比
SCT3120ALHRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

175°C(TJ) N 通道 TO-247N 车规

¥149.7616 

阶梯数 价格
1: ¥149.7616
100: ¥109.8113
420 对比
R6030JNZ4C13 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) N 通道 TO-247G

暂无价格 70 对比
STW24N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 对比

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