SIHG22N60E-GE3 与 STW24N60M2 区别
| 型号 | SIHG22N60E-GE3 | STW24N60M2 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SIHG22N60E-GE3 | A3-STW24N60M2 |
| 制造商 | Vishay | STMicroelectronics |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET | MOSFET N-CH 600V 18A TO247 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 180mΩ | - |
| 漏源极电压Vds | 4V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 227W(Tc) | - |
| 栅极电压Vgs | ±30V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 21A | - |
| 系列 | SI | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1920pF @ 100V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 86nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 203 | 126,480 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 5 - 7天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
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SIHG22N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 227W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 N-Channel 21A 180mΩ 4V |
暂无价格 | 203 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
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STW24N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 126,480 | 对比 | ||||||||||||||||||
|
SCT3120ALHRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
175°C(TJ) N 通道 TO-247N 车规 |
￥99.3025
|
450 | 对比 | ||||||||||||||||||
|
R6030JNZ4C13 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) N 通道 TO-247G |
￥53.2494
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450 | 对比 | ||||||||||||||||||
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SCT3120ALHRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
175°C(TJ) N 通道 TO-247N 车规 |
￥99.3025
|
450 | 对比 | ||||||||||||||||||
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R6030JNZ4C13 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) N 通道 TO-247G |
￥53.2494
|
98 | 对比 |
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