SIHG22N60E-GE3 与 R6030JNZ4C13 区别
| 型号 | SIHG22N60E-GE3 | R6030JNZ4C13 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SIHG22N60E-GE3 | A3-R6030JNZ4C13 |
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET | MOSFET N-CH 600V 30A TO247G |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 227W(Tc) | - |
| 功率耗散(最大值) | - | 370W(Tc) |
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源极电压Vds | 4V | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 2500pF @ 100V |
| 栅极电压Vgs | ±30V | - |
| FET类型 | N-Channel | N 通道 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 | TO-247G |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 21A | - |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 7V @ 5.5mA |
| 系列 | SI | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1920pF @ 100V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 86nC @ 10V | - |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 143 毫欧 @ 15A,15V |
| Vgs(最大值) | - | ±30V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 15V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 30A(Tc) |
| 漏源电压(Vdss) | - | 600V |
| 导通电阻Rds(On) | 180mΩ | - |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 74nC @ 15V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 70 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIHG22N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 227W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 N-Channel 21A 180mΩ 4V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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STW24N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
￥7.116
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1,203 | 对比 | ||||||||
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R6030JNZ4C13 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) N 通道 TO-247G |
￥55.4673
|
600 | 对比 | ||||||||
|
SCT3120ALHRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
175°C(TJ) N 通道 TO-247N 车规 |
￥149.7616
|
420 | 对比 | ||||||||
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R6030JNZ4C13 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) N 通道 TO-247G |
暂无价格 | 70 | 对比 | ||||||||
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STW24N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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