SIHF530S-GE3 与 IRF5305SPBF 区别
| 型号 | SIHF530S-GE3 | IRF5305SPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SIHF530S-GE3 | A-IRF5305SPBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single P-Channel 55 V 110 W 63 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 60mΩ@16A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 55V |
| Pd-功率耗散(Max) | 88W | 3.8W(Ta),110W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | P-Channel |
| 封装/外壳 | - | D2PAK |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 31A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 63nC @ 10V |
| 电压 | 100V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1200pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 63nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SIHF530S-GE3 | Vishay | 功率MOSFET |
88W |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
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IRF530SPBF | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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IRF5305SPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.8W(Ta),110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 60mΩ@16A,10V P-Channel 55V 31A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRF530S | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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IRF5305S | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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IRF5305SPBF | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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