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SIHF16N50C-E3  与  2SK3934Q  区别

型号 SIHF16N50C-E3 2SK3934Q
唯样编号 A-SIHF16N50C-E3 A3t-2SK3934Q
制造商 Vishay Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 未分类
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 380mΩ@8A,10V -
漏源极电压Vds 500V -
Pd-功率耗散(Max) 38W -
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-220 -
连续漏极电流Id 16A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 68nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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N-Channel 500V 16A(Tc) ±30V 38W 380mΩ@8A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220

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