SIHF16N50C-E3 与 STF14NM50N 区别
| 型号 | SIHF16N50C-E3 | STF14NM50N |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SIHF16N50C-E3 | A3-STF14NM50N |
| 制造商 | Vishay | STMicroelectronics |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 380mΩ@8A,10V | 320mΩ@6A,10V |
| 漏源极电压Vds | 500V | 500V |
| Pd-功率耗散(Max) | 38W | 25W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±30V | ±25V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220 | TO-220FP |
| 连续漏极电流Id | 16A(Tc) | 12A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | MDmesh™ II |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 816pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 27nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1900pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 68nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 102,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 5 - 7天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIHF16N50C-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 500V 16A(Tc) ±30V 38W 380mΩ@8A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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STF14NM50N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 25W(Tc) 320mΩ@6A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 500V 12A |
暂无价格 | 102,000 | 对比 |
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2SK3934Q | Toshiba | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
|
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STF14NM50N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 25W(Tc) 320mΩ@6A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 500V 12A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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R5016ANXFU7CF68 | ROHM Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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IPA60R380C6 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
600V 10.6A 340mΩ 20V 31W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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