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SIHD9N60E-GE3  与  IPD80R360P7  区别

型号 SIHD9N60E-GE3 IPD80R360P7
唯样编号 A-SIHD9N60E-GE3 A-IPD80R360P7
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 368mΩ@4.5A,10V 360mΩ
漏源极电压Vds 600V 800V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 78W(Tc) -
Rth - 1.5K/W
栅极电压Vgs ±30V 2.5V,3.5V
RthJA max - 62.0K/W
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 13.0nC
Pin Count - 3.0Pins
封装/外壳 TO-252-3,DPak,SC-63 DPAK (TO-252)
Mounting - SMT
连续漏极电流Id 9A(Tc) 13A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
系列 E -
Ptot max - 84.0W
QG - 30.0nC
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 778pF @ 100V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 52nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIHD9N60E-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 9A(Tc) ±30V 78W(Tc) 368mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,DPak,SC-63

暂无价格 0 当前型号
FCD380N60E ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

10.2A(Tc) ±20V 106W(Tc) 380m Ohms@5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 600V 10.2A TO-252AA

暂无价格 0 对比
IPD80R360P7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD80R360P7ATMA1_360mΩ 800V 13A DPAK (TO-252) N-Channel -55°C~150°C 2.5V,3.5V

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