SIHD7N60E-GE3 与 IPD80R600P7 区别
| 型号 | SIHD7N60E-GE3 | IPD80R600P7 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SIHD7N60E-GE3 | A-IPD80R600P7 |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | E-Series N-Channel 600 V 78 W 600 mO 40 nC Surface Mount Power MOSFET - DPAK-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 600 mOhms @ 3.5A,10V | 600mΩ |
| 漏源极电压Vds | 600V | 800V |
| Moisture Level | - | 1 Ohms |
| Pd-功率耗散(Max) | 78W(Tc) | - |
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - |
| RthJA max | - | 62.0K/W |
| 栅极电压Vgs | - | 2.5V,3.5V |
| Special Features | - | price/performance |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| Qgd | - | 8.0nC |
| Pin Count | - | 3.0Pins |
| 封装/外壳 | TO-252 | DPAK (TO-252) |
| Mounting | - | SMT |
| 连续漏极电流Id | 7A(Tc) | 8A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C |
| RthJC max | - | 2.1 K/W |
| QG (typ @10V) | - | 20.0 nC |
| Ptot max | - | 60.0W |
| Vgs(最大值) | ±30V | - |
| Budgetary Price €/1k | - | 0.51 |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 35 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SIHD7N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
7A(Tc) N-Channel 600 mOhms @ 3.5A,10V 78W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 600V |
暂无价格 | 35 | 当前型号 |
|
STD10N60DM2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 10,000 | 对比 |
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|
STD10N60DM2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IPD80R600P7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
600mΩ 800V 8A DPAK (TO-252) -55°C~150°C N-Channel 2.5V,3.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IPD70R600P7S | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
600mΩ@1.8A,10V 700V 8.5A TO-252 43W N-Channel -40°C~150°C ±16V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
STD9N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 517,500 | 对比 |
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