SIHD6N65E-GE3 与 STD8N65M5 区别
| 型号 | SIHD6N65E-GE3 | STD8N65M5 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SIHD6N65E-GE3 | A36-STD8N65M5 | ||||||
| 制造商 | Vishay | STMicroelectronics | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||
| 描述 | E Series N-Channel 650 V 78 W 0.6 O 48 nC Surface Mount Power Mosfet - DPAK | MOSFET N-CH 650V 7A DPAK | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散Pd | 78W(Tc) | - | ||||||
| 漏源极电压Vds | 4V | - | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±30V | - | ||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||
| 封装/外壳 | TO-252 | TO-252-3 | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||||
| 连续漏极电流Id | 7A | - | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 820pF @ 100V | - | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 48nC @ 10V | - | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||||||
| 导通电阻Rds(On) | 600mΩ | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 1,966 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIHD6N65E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 78W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-252 N-Channel 7A 600mΩ 4V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
|
STD8N65M5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
￥7.644
|
1,966 | 对比 | ||||||||
|
IPD65R650CE | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
650mΩ 650V 7A DPAK (TO-252) N-Channel 2.5V,3.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
|
|
STD8N65M5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
|
|
STD8N65M5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
|
|
STD8N65M5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
