SIHD14N60E-GE3 与 STD11N60DM2 区别
| 型号 | SIHD14N60E-GE3 | STD11N60DM2 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SIHD14N60E-GE3 | A-STD11N60DM2 |
| 制造商 | Vishay | STMicroelectronics |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 10A DPAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | TO-252 | TO-252-3 |
| 功率耗散Pd | 147W(Tc) | - |
| 连续漏极电流Id | 13A(Tc) | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C | - |
| 漏源极电压Vds | 600V | - |
| Vgs(最大值) | ±30V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 309 mOhms @ 7A,10V | - |
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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SIHD14N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
13A(Tc) N-Channel 309 mOhms @ 7A,10V 147W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 600V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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STD13NM60N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 90W(Tc) 360mΩ@5.5A,10V 150°C(TJ) DPAK N-Channel 650V 11A |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||||
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STD13NM60N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 90W(Tc) 360mΩ@5.5A,10V 150°C(TJ) DPAK N-Channel 650V 11A |
￥8.676
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1,863 | 对比 | ||||||||
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STD11N60DM2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
￥7.764
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1,588 | 对比 | ||||||||
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FCD380N60E | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
10.2A(Tc) ±20V 106W(Tc) 380m Ohms@5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 600V 10.2A TO-252AA |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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STD11N60DM2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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