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SIHB33N60ET1-GE3  与  AOB42S60  区别

型号 SIHB33N60ET1-GE3 AOB42S60
唯样编号 A-SIHB33N60ET1-GE3 A-AOB42S60
制造商 Vishay AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 2.7
宽度 9.65mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 98mΩ 109mΩ@10V
上升时间 43ns -
ESD Diode - No
Qg-栅极电荷 103nC -
Qgd(nC) - 11.9
栅极电压Vgs 4V 30V
Td(on)(ns) - 38.5
封装/外壳 TO-252 TO-263
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 33A 37A
配置 Single -
Ciss(pF) - 2154
长度 10.67mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 48ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3508pF @ 100V -
Schottky Diode - No
高度 4.83mm -
Trr(ns) - 473
Td(off)(ns) - 136
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 278W 417W
Qrr(nC) - 10500
VGS(th) - 3.8
典型关闭延迟时间 161ns -
FET类型 - N-Channel
系列 E -
通道数量 1Channel -
典型接通延迟时间 28ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 150nC @ 10V -
Coss(pF) - 135
Qg*(nC) - 40*
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIHB33N60ET1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) TO-252 33A 278W 98mΩ 600V 4V

暂无价格 0 当前型号
AOB42S60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 600V 30V 37A 417W 109mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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