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SIHB28N60EF-GE3  与  STB34NM60ND  区别

型号 SIHB28N60EF-GE3 STB34NM60ND
唯样编号 A-SIHB28N60EF-GE3 A-STB34NM60ND
制造商 Vishay STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 123mΩ@14A,10V -
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 250W(Tc) -
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak,TO-263AB TO-263-3
连续漏极电流Id 28A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2714pF @ 100V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
库存与单价
库存 26 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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