SIHA22N60E-E3 与 STF26NM60N 区别
| 型号 | SIHA22N60E-E3 | STF26NM60N | ||||||
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| 唯样编号 | A-SIHA22N60E-E3 | A36-STF26NM60N | ||||||
| 制造商 | Vishay | STMicroelectronics | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | N-Channel 600 V 35 W 57 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散Pd | 35W(Tc) | 35W(Tc) | ||||||
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V | ||||||
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±30V | ||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220FP | ||||||
| 连续漏极电流Id | 21A(Tc) | 20A | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | 150°C(TJ) | ||||||
| 系列 | - | MDmesh™ II | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1800pF @ 50V | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 60nC @ 10V | ||||||
| Vgs(最大值) | ±30V | - | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||||
| 导通电阻Rds(On) | 180 mOhms @ 11A,10V | 165mΩ@10A,10V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 2,304 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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SIHA22N60E-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
21A(Tc) N-Channel 180 mOhms @ 11A,10V 35W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 600V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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STF24NM60N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 30W(Tc) 190mΩ@8A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 17A |
暂无价格 | 49,000 | 对比 | ||||||||
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STF24N60M2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 30W(Tc) 190mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 18A |
￥5.712
|
6,631 | 对比 | ||||||||
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STF24N60M2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 30W(Tc) 190mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 18A |
暂无价格 | 4,850 | 对比 | ||||||||
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STF26NM60N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 35W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 20A |
￥8.46
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2,304 | 对比 | ||||||||
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STF26NM60N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 35W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 20A |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
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