SIHA22N60E-E3 与 STF26NM60N 区别
| 型号 | SIHA22N60E-E3 | STF26NM60N |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SIHA22N60E-E3 | A3-STF26NM60N |
| 制造商 | Vishay | STMicroelectronics |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 600 V 35 W 57 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 180 mOhms @ 11A,10V | 165mΩ@10A,10V |
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | 35W(Tc) | 35W(Tc) |
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±30V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220FP |
| 连续漏极电流Id | 21A(Tc) | 20A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | 150°C(TJ) |
| 系列 | - | MDmesh™ II |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1800pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 60nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±30V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 35 | 3,000 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 5 - 7天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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SIHA22N60E-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
21A(Tc) N-Channel 180 mOhms @ 11A,10V 35W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 600V |
暂无价格 | 35 | 当前型号 | ||||||||
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STF24NM60N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 30W(Tc) 190mΩ@8A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 17A |
暂无价格 | 60,000 | 对比 | ||||||||
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STF24N60M2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 30W(Tc) 190mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 18A |
￥4.246
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7,964 | 对比 | ||||||||
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STF24N60M2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 30W(Tc) 190mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 18A |
暂无价格 | 4,850 | 对比 | ||||||||
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STF26NM60N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 35W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 20A |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||
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STF24NM60N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 30W(Tc) 190mΩ@8A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 17A |
￥5.632
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1,000 | 对比 |
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