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SIHA22N60E-E3  与  STF24NM60N  区别

型号 SIHA22N60E-E3 STF24NM60N
唯样编号 A-SIHA22N60E-E3 A3-STF24NM60N
制造商 Vishay STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 600 V 35 W 57 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP N-Channel 600 V 190 mOhm MDmesh™ II Power MOSFET - TO-220FP
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 180 mOhms @ 11A,10V 190mΩ@8A,10V
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 35W(Tc) 30W(Tc)
Vgs(th) 4V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220FP
连续漏极电流Id 21A(Tc) 17A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 - MDmesh™ II
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1400pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 46nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
库存与单价
库存 35 60,000
工厂交货期 3 - 5天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIHA22N60E-E3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

21A(Tc) N-Channel 180 mOhms @ 11A,10V 35W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 600V

暂无价格 35 当前型号
STF24NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 30W(Tc) 190mΩ@8A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 17A

暂无价格 60,000 对比
STF24N60M2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 30W(Tc) 190mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 18A

¥4.246 

阶梯数 价格
20: ¥4.246
100: ¥3.41
1,000: ¥3.245
7,964 对比
STF24N60M2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 30W(Tc) 190mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 18A

暂无价格 4,850 对比
STF26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 35W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 20A

暂无价格 3,000 对比
STF24NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 30W(Tc) 190mΩ@8A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 17A

¥5.632 

阶梯数 价格
9: ¥5.632
100: ¥4.499
1,000: ¥4.312
1,000 对比

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