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SIHA22N60AE-E3  与  IPA65R190CFD  区别

型号 SIHA22N60AE-E3 IPA65R190CFD
唯样编号 A-SIHA22N60AE-E3 A-IPA65R190CFD
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.85mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 180mΩ@11A,10V 190mΩ
上升时间 - 8.4ns
漏源极电压Vds 600V 650V
Pd-功率耗散(Max) 33W(Tc) 34W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1451pF @ 100V -
Qg-栅极电荷 - 68nC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 96nC @ 10V -
栅极电压Vgs ±30V 30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 -
连续漏极电流Id 20A(Tc) 17.5A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 E CoolMOSCFD2
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
长度 - 10.65mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
下降时间 - 6.4ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4.5V @ 730µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1850pF @ 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 68nC @ 10V
高度 - 16.15mm
库存与单价
库存 25 500
工厂交货期 3 - 5天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIHA22N60AE-E3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 20A(Tc) ±30V 33W(Tc) 180mΩ@11A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3

暂无价格 25 当前型号
IPA65R190CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 650V 17.5A 190mΩ 30V 34W N-Channel

暂无价格 500 对比
AOTF20S60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F N-Channel 600V 30V 15A 50W 1990mΩ@10V

暂无价格 0 对比
AOTF27S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F N-Channel 600V 30V 27A 50W 160mΩ@10V

暂无价格 0 对比
STFU28N65M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

暂无价格 0 对比
STFU28N65M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

暂无价格 0 对比

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