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SIDR668DP-T1-GE3  与  RS6P100BHTB1  区别

型号 SIDR668DP-T1-GE3 RS6P100BHTB1
唯样编号 A-SIDR668DP-T1-GE3 A-RS6P100BHTB1
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 100V 100A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.05mΩ 5.9mΩ@90A,10V
上升时间 25ns -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 125W 104W
Qg-栅极电荷 72nC -
栅极电压Vgs 2V ±20V
典型关闭延迟时间 38ns -
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 PowerPAK-SO-8DC-8 HSOP8 (Single)
连续漏极电流Id 95A 100A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
系列 SID -
通道数量 1Channel -
配置 Single -
电压 100V -
下降时间 28ns -
典型接通延迟时间 22ns -
库存与单价
库存 0 97
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥19.6519
100+ :  ¥9.8259
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIDR668DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

95A 5.05mΩ 100V 2V PowerPAK-SO-8DC-8 125W -55°C~150°C

暂无价格 0 当前型号
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C

¥26.4283 

阶梯数 价格
6: ¥26.4283
10: ¥17.0951
30: ¥12.8021
50: ¥11.9493
100: ¥11.2977
300: ¥10.8761
500: ¥10.7898
1,000: ¥10.7228
1,960 对比
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C

¥19.6519 

阶梯数 价格
1: ¥19.6519
100: ¥9.8259
97 对比
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C

暂无价格 50 对比

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