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SIA436DJ-T1-GE3  与  DMN1019UFDE-7  区别

型号 SIA436DJ-T1-GE3 DMN1019UFDE-7
唯样编号 A-SIA436DJ-T1-GE3 A36-DMN1019UFDE-7
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 SIA436DJ Series 8 V 12 A 9.4 mOhm N-Channel MOSFET - PowerPAK® SC-70-6 MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 36mΩ -
漏源极电压Vds 8V 12V
Pd-功率耗散(Max) 3.5W(Ta),19W(Tc) 690mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 10mΩ@9.7A,4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2425 pF @ 10 V
栅极电压Vgs ±5V ±8V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 50.6 nC @ 8 V
封装/外壳 SC-70-6 U-DFN2020-6(E 类)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 12A 11A(Ta)
系列 TrenchFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250µA -
驱动电压 - 1.2V,4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1508pF @ 4V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25.2nC @ 5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.2V,4.5V -
库存与单价
库存 0 2,939
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥1.65
100+ :  ¥1.32
750+ :  ¥1.177
1,500+ :  ¥1.111
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIA436DJ-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±5V 3.5W(Ta),19W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SC-70-6 N-Channel 8V 12A 36mΩ

暂无价格 0 当前型号
DMN1019UFDE-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 690mW(Ta) ±8V U-DFN2020-6(E 类) -55℃~150℃(TJ) 12V 11A(Ta)

¥1.65 

阶梯数 价格
40: ¥1.65
100: ¥1.32
750: ¥1.177
1,500: ¥1.111
2,939 对比
DMN1019UFDE-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 690mW(Ta) ±8V U-DFN2020-6(E 类) -55℃~150℃(TJ) 12V 11A(Ta)

¥0.9999 

阶梯数 价格
60: ¥0.9999
345 对比

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