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SI7850DP-T1-GE3  与  Si7850DP  区别

型号 SI7850DP-T1-GE3 Si7850DP
唯样编号 A-SI7850DP-T1-GE3 A-Si7850DP-1
制造商 Vishay XBLW
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 0.022 Ohm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SO-8 类型: N沟道 漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 30A
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 22mΩ -
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 1.8W(Ta) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 PowerPak-8 DFN5X6-8L
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 6.2A -
系列 TrenchFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 27nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI7850DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.8W(Ta) -55°C~150°C(TJ) PowerPak-8 N-Channel 60V 6.2A 22mΩ

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Si7850DP XBLW  数据手册 功率MOSFET

DFN5X6-8L

暂无价格 5,000 对比
Si7850DP XBLW  数据手册 功率MOSFET

DFN5X6-8L

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