首页 > 商品目录 > > > > SI7818DN-T1-E3代替型号比较

SI7818DN-T1-E3  与  RH6R025BHTB1  区别

型号 SI7818DN-T1-E3 RH6R025BHTB1
唯样编号 A-SI7818DN-T1-E3 A-RH6R025BHTB1
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 150 V 0.135 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK 1212-8 Nch 150V 25A, HSMT8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PowerPAK® 1212-8 HSMT8
连续漏极电流Id 2.2A(Ta) 25A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs 135 mOhms @ 3.4A,10V 60mΩ@25A,10V
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 1.5W 59W
Vgs(最大值) ±20V -
Vgs(th) 4V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥10.0366
100+ :  ¥5.0183
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI7818DN-T1-E3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

PowerPAK®1212-8

暂无价格 0 当前型号
BSZ440N10NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ440N10NS3GATMA1_3.3mm PG-TSDSON-8

暂无价格 10,000 对比
BSZ440N10NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ440N10NS3GATMA1_3.3mm PG-TSDSON-8

¥5.0212 

阶梯数 价格
30: ¥5.0212
50: ¥4.1684
100: ¥3.718
500: ¥3.7084
1,000: ¥3.6989
2,000: ¥3.6797
4,000: ¥3.6605
8,500 对比
BSZ440N10NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ440N10NS3 G_8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比
BSZ440N10NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ440N10NS3GATMA1_3.3mm PG-TSDSON-8

暂无价格 0 对比
RH6R025BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT8

¥10.0366 

阶梯数 价格
1: ¥10.0366
100: ¥5.0183
100 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售