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SI7818DN-T1-E3  与  BSZ440N10NS3GATMA1  区别

型号 SI7818DN-T1-E3 BSZ440N10NS3GATMA1
唯样编号 A-SI7818DN-T1-E3 A-BSZ440N10NS3GATMA1
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 150 V 0.135 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK 1212-8 MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TSDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 29W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 135 mOhms @ 3.4A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 150V -
Pd-功率耗散(Max) 1.5W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 640pF @ 50V
Vgs(th) 4V @ 250uA -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 PowerPAK® 1212-8 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 2.2A(Ta) -
工作温度 -55℃~150℃ -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.7V @ 12uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 9.1nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 44 毫欧 @ 12A,10V
Vgs(最大值) ±20V ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 5.3A(Ta),18A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
漏源电压(Vdss) - 100V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI7818DN-T1-E3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

PowerPAK®1212-8

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