SI7738DP-T1-GE3 与 AON6454A 区别
| 型号 | SI7738DP-T1-GE3 | AON6454A |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI7738DP-T1-GE3 | A-AON6454A |
| 制造商 | Vishay | AOS |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 38mΩ | 38mΩ@20A,10V |
| 漏源极电压Vds | 150V | 150V |
| Pd-功率耗散(Max) | 5.4W(Ta),96W(Tc) | 2.3W(Ta),83W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOIC-8 | DFN |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 7.7A | 31A |
| 系列 | TrenchFET® | AON |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | 4.6V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2100pF @ 75V | 2055pF @ 75V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 53nC @ 10V | 40nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 7V,10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
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SI7738DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 5.4W(Ta),96W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 150V 7.7A 38mΩ |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
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AON6454A | AOS | 功率MOSFET |
±20V 2.3W(Ta),83W(Tc) 38mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) DFN N-Channel 150V 31A |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||||||||||
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BSC360N15NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
150V 33A 36mΩ 20V 74W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RS6R035BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 41mΩ@35A,10V -55°C~150°C ±20V 150V 35A |
￥13.837
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2,420 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RS6R060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 60A 150V HSOP8 (Single) 104W ±20V 21.8mΩ@60A,10V -55°C~150°C |
￥27.3099
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1,025 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RS6R035BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 41mΩ@35A,10V -55°C~150°C ±20V 150V 35A |
暂无价格 | 200 | 对比 |
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