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SI7716ADN-T1-GE3  与  IRFHM8342TRPBF  区别

型号 SI7716ADN-T1-GE3 IRFHM8342TRPBF
唯样编号 A-SI7716ADN-T1-GE3 A-IRFHM8342TRPBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 0.0135 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-1212-8 Single N-Channel 30 V 16 mO 5 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 13.5 mOhms @ 10A,10V 16mΩ@17A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3.5W(Ta),27.7W(Tc) 2.6W(Ta),20W(Tc)
Vgs(th) 2.5V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT1210 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
连续漏极电流Id 16A(Tc) 10A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 560pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 7.5nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 560pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 7.5nC @ 4.5V
库存与单价
库存 179 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
3,000+ :  ¥0.9788
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI7716ADN-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

16A(Tc) N-Channel 13.5 mOhms @ 10A,10V 3.5W(Ta),27.7W(Tc) -55°C~150°C 30V SOT1210

¥0.9788 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.9788
179 当前型号
IRFHM8342TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.6W(Ta),20W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 16mΩ@17A,10V N-Channel 30V 10A 8-PQFN(3.3x3.3),Power33

暂无价格 0 对比
IRFHM8337TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.8W(Ta),25W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 12.4mΩ@12A,10V N-Channel 30V 12A 8-PQFN(3.3x3.3),Power33

暂无价格 0 对比
NTTFS4824NTAG ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-WDFN(3.3x3.3)

暂无价格 0 对比
NTTFS4824NTAG ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-WDFN(3.3x3.3)

暂无价格 0 对比
FDMC8884 ON Semiconductor 通用MOSFET

2.3W(Ta),18W(Tc) 19m Ohms@9A,10V -55°C~150°C(TJ) Power 9A N-Channel 30V 9A(Ta),15A(Tc) ±20V 19 毫欧 @ 9A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-MLP(3.3x3.3) 8-PowerWDFN

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