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SI7613DN-T1-GE3  与  DMP2008UFG-7  区别

型号 SI7613DN-T1-GE3 DMP2008UFG-7
唯样编号 A-SI7613DN-T1-GE3 A36-DMP2008UFG-7
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.7mΩ@17A,10V -
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 52.1W 2.4W(Ta),41W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 8mΩ@12A,4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 6909 pF @ 10 V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
栅极电压Vgs ±16V ±8V
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 72 nC @ 4.5 V
封装/外壳 PowerPAK® 1212-8 PowerDI3333-8
连续漏极电流Id 35A(Tc) 14A(Ta),54A(Tc)
工作温度 -50°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 10V -
驱动电压 - 1.5V,4.5V
电压 -20V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2620pF -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 87nC -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI7613DN-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 20V 35A(Tc) ±16V 8.7mΩ@17A,10V -50°C~150°C(TJ) PowerPAK® 1212-8 52.1W

暂无价格 0 当前型号
AON7407 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP P-Channel -20V ±8V -40A 29W 9.5mΩ@-14A,-4.5V -55°C~150°C

¥1.408 

阶梯数 价格
40: ¥1.408
100: ¥1.0802
1,250: ¥0.8998
2,095 对比
AON7407 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP P-Channel -20V ±8V -40A 29W 9.5mΩ@-14A,-4.5V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
DMP2008UFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 2.4W(Ta),41W(Tc) ±8V PowerDI3333-8 -55℃~150℃(TJ) 20V 14A(Ta),54A(Tc)

暂无价格 0 对比

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