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SI7460DP-T1-E3  与  RS6L090BGTB1  区别

型号 SI7460DP-T1-E3 RS6L090BGTB1
唯样编号 A-SI7460DP-T1-E3 A33-RS6L090BGTB1-0
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 0.0096 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8 Nch 60V 90A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.6mΩ 4.7mΩ@90A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 1.9W(Ta) 73W
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOIC-8 HSOP8 (Single)
连续漏极电流Id 18A 90A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
系列 TrenchFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
库存与单价
库存 0 1,820
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥11.4702
50+ :  ¥7.0814
100+ :  ¥6.5352
500+ :  ¥6.1711
1,000+ :  ¥6.0945
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI7460DP-T1-E3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

SOIC-8

暂无价格 0 当前型号
RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥69.4629 

阶梯数 价格
3: ¥69.4629
10: ¥15.7344
50: ¥10.9048
100: ¥10.3107
500: ¥9.9083
1,000: ¥9.822
1,830 对比
RS6L090BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥11.4702 

阶梯数 价格
20: ¥11.4702
50: ¥7.0814
100: ¥6.5352
500: ¥6.1711
1,000: ¥6.0945
1,820 对比
RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

暂无价格 100 对比
RS6L090BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

暂无价格 100 对比
RS6L090BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥12.884 

阶梯数 价格
1: ¥12.884
100: ¥6.442
99 对比

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