SI7454FDP-T1-RE3 与 RS6P100BHTB1 区别
| 型号 | SI7454FDP-T1-RE3 | RS6P100BHTB1 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI7454FDP-T1-RE3 | A-RS6P100BHTB1 | ||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | Nch 100V 100A, HSOP8, Power MOSFET | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 封装/外壳 | SOT669 | HSOP8 (Single) | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||
| 连续漏极电流Id | 23.5A | 100A | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 29.5mΩ@10A,10V | 5.9mΩ@90A,10V | ||||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 39W | 104W | ||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 30 | 97 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 5天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI7454FDP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C 23.5A 29.5mΩ@10A,10V 100V 39W ±20V N-Channel SOT669 |
暂无价格 | 30 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
|
RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
￥26.4283
|
1,960 | 对比 | ||||||||||||||||||
|
RS6P060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 60A |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||||||||
|
|
RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
￥19.6519
|
97 | 对比 | ||||||||||||||||||
|
|
RS6P060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 60A |
￥13.2013
|
95 | 对比 | ||||||||||||||||||
|
|
RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
暂无价格 | 50 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
