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SI7415DN-T1-GE3  与  NTTFS5116PLTAG  区别

型号 SI7415DN-T1-GE3 NTTFS5116PLTAG
唯样编号 A-SI7415DN-T1-GE3 A3-NTTFS5116PLTAG
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Si7415DN Series P-Channel 60 V 65 mOhms SMT Power Mosfet - PowerPAK 1212-9
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 3.2W(Ta),40W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 65mΩ 52 毫欧 @ 6A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 1.5W(Ta) -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 PowerPak1212-8 WDFN
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.6A 5.7A
系列 TrenchFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1258pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V 25nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
库存与单价
库存 75 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI7415DN-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

P-Channel ±20V 1.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) PowerPak1212-8 60V 3.6A 65mΩ

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阶梯数 价格
30: ¥2.321
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1,464 对比
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